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领导关怀与发展历程
1958年研制成功第一根直拉硅单晶
1961年研制出中国第一根区熔硅单晶
1963年研制成功大功率整流器用硅单晶
1992年5月研制成功中国第一根φ4”直拉硅单晶
1992年9月研制成功中国第一根φ6”直拉硅单晶
1995年8月研制成功中国第一根φ8”直拉硅单晶
1997年8月研制成功中国第一根φ12”直拉硅单晶
2000年建立中国第一条0.25μmIC硅抛光生产线并开始批量生产
2002年11月研制成功中国第一根φ18”直拉硅单晶
2003年11月研制成功φ12”硅单晶抛光片
2005年12月建成中国第一条φ12”硅单晶抛光片中试生产线
2007年12月建成中国第一个φ12”硅外延片工程化平台
2008年5月研制成功φ6"区熔硅单晶
2001年5月,胡锦涛同志与公司技术人员交流
2002年12月,温家宝、曾培炎同志参观我公司展品
2009年5月,刘淇、郭金龙同志等北京市领导莅临我公司视察
1998年3月,邹家华同志莅临半导体材料国家工程研究中心视察
1998年2月,钱伟长同志莅临半导体材料国家工程研究中心视察
2002年3月,徐匡迪同志莅临我公司视察